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功率半導體用陶瓷基板熱阻測試方法的?主題報告
發布時間:2023-11-30 瀏覽數:174 分享:

為緊跟國際功率半導體器件技術發展步伐,推動我國新型半導體功率器件技術水平進一步提高,加快其成果轉化和應用推廣,增強自主創新能力。由中國半導體行業協會半導體分立器件分會主辦的“第九屆全國新型半導體功率器件及應用技術研討會”于2023年11月23~25日在廣州召開。雅馬拓科學受邀參會,并向大會做“功率半導體用陶瓷基板熱阻測試 “的主題報告。


報告摘要:


隨著新一代功率半導體(SiC、GaN)技術的加速開發,功率半導體向小型化、高效化方向發展,因其擁有更節能、更高功率輸出和更高速運行的前景而受到越來越多的期望。下一代功率半導體芯片將提供更高的輸出和更高的能量密度,預計在不久的將來,芯片結溫將從150℃ 提高到250℃,因此功率半導體的散熱技術變得比以往任何時候都更加重要。

雅馬拓科學自2016年11月開始聯合大阪大學封裝研究所開展「新一代功率半導體基板的熱特性評價方法」的共同研究,同時推動了該評價方法的ISO國際標準化工作。2023年1月,ISO4825-1標準1正式全球發布。

“基板”是影響功率半導體散熱的核心部件,雅馬拓科學基于上述共同研究的成果,開發了專門針對陶瓷基板的「熱阻測試儀」 以及「TEG芯片」,并同步在日本、中國、美國、歐洲申請了國際專利(專利申請中)。


會議現場:

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以上配圖來自“第九屆全國新型半導體功率器件及應用技術研討會”,僅作宣傳用途。


[1] ISO 4825-1:2023 國際標準:https://www.iso.org/standard/80379.html


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